光子芯片中試線項目內景。濱湖區委宣傳部供圖

9月25日，在2024集成電路（無錫）創新發展大會上，由上海交通大學無錫光子芯片研究院建設的國內首條光子芯片中試線在無錫市濱湖區正式啟用。

據悉，該中試平臺總面積17000平方米，集科研、生產、服務于一體，配備了超100臺國際頂級CMOS工藝設備，覆蓋了薄膜鈮酸鋰光子芯片從光刻、薄膜沉積、刻蝕、濕法、切割、量測到封裝的全閉環工藝。平臺還兼顧硅、氮化硅等其他材料體系，搭建了N個特色工藝平臺，形成“1+N”先進光子器件創新平臺，不僅可為高校、科研院所、創新企業提供全流程技術服務，還可以為光子產業孵化項目，與產業基金高效聯動，打通從產品研發到市場化的完整鏈條，加速科技成果的商業化轉化。

“技術的高速迭代與創新是推動光子芯片產業化的核心關鍵?！鄙虾＝煌ù髮W無錫光子芯片研究院院長金賢敏表示，中試平臺不僅能加速技術迭代的飛輪效應，促進工藝流程的持續優化和產品創新能力的提升，還將以前所未有的速度觸摸到科技前沿的“天區”，破解創新鏈和產業鏈長期存在的結構性矛盾。

據介紹，該中試線正式啟用后，預計年產能達10000片晶圓，2025年第一季度將正式發布PDK，提供對外流片服務。下階段，上海交通大學無錫光子芯片研究院將基于6/8寸薄膜鈮酸鋰晶圓，以薄膜鈮酸鋰調制器為核心，攻克薄膜鈮酸鋰光子芯片產業化面臨的工程技術難題，開發晶圓級芯片量產工藝，實現薄膜鈮酸鋰光子芯片規模量產，滿足人工智能發展等大算力需求。

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